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大家著名半导体制造商ROHM（总部位于日本京齐市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”参预量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特质，因此在工业确立、车载确立以及需要相沿大功率的应用限制被越来越多地接受。这次人妻熟女，ROHM将封装工序外包给了看成半导体后谈工序供应商（OSAT）领有丰富功绩的日月新半导体（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO.， LTD.，以下简称“ATX”）。 本文援用地址：https://www.eepw.com.cn/article/202502/466930.htm为了完结无碳社会，“提高用电量占大家一泰半的电源和电机的限度”已成为大家性的社会问题。功率元器件是提高其限度的要津，SiC（碳化硅）、GaN等新材料有望进一步提高各式电源的限度。ROHM于2023年4月将650V耐压的第1代GaN HEMT参预量产，并于2023年7月将栅极驱动器和650V耐压GaN HEMT一体化封装的Power Stage IC参预量产。为了支吾大功率应用中的进一步袖珍、高限度化的商场条目，ROHM弃取在以往的DFN8080封装基础上追加的形态来强化650V GaN HEMT的封装声威。在TOLL封装中内置第2代元件并完结家具化。 新家具在TOLL封装内置第2代GaN on Si芯片，在与导通电阻和输入电容筹划的器件性能规画 (RDS（ON）×Qoss*2) 方面，数值弘扬达到业界先进水平。这将有助于需要高耐压且高速开关的电源系统进一步节能和袖珍化。新家具已于2024年12月参预量产（样品价钱 3，000日元/个，不含税），并已驱动电商销售，通过电商平台均可购买。 国产婷婷综合在线精品对于新家具的量产，ROHM左右其在垂直统合型一体化坐褥体系中所积存的元器件遐想时期和自有上风，进行了筹划的遐想和蓄意，并于2024年12月10日告示看成与台积电（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited，以下简称“TSMC”）合营的一环，前谈工序在TSMC坐褥，后谈工序在ATX坐褥。另外，ROHM还蓄意与ATX合餬口产车载GaN器件。瞻望从2026年起，GaN器件在汽车限制的普及速率将会加速，ROHM蓄意在加强里面开辟的同期，进一步加深与这些合营伙伴之间的关系，以加速车载GaN器件参预商场的速率。 日月新半导体（威海）有限公司 董事兼总司理 廖弘昌 暗示：“ROHM领有从晶圆制造到封装的一齐坐褥确立，并领有相等先进的制造时期，很忻悦ROHM将部分坐褥外包给咱们。咱们从2017年驱动与ROHM进行时期同样，当今正在不竭探索更深合营的可能性。ATX在GaN器件后谈工序制造方面的实质功绩和时期实力取得ROHM的招供，从而促成了本次合营。两边还蓄意针对ROHM当今正在开辟的车载GaN器件也开展合营，改日也会不竭加深两边的合营伙伴关系，以促进各限制的节能，为完结可捏续发展的社会作念出孝顺。” ROHM Co.， Ltd. AP坐褥本部 本部长 藤谷 谕 暗示：“相等忻悦ROHM 的TOLL 封装650V GaN HEMT大要以令东谈主心仪的性能参预量产。ROHM不仅提供GaN器件，还提供其与融入自己模拟时期上风的IC等元器件链接合的电源管束决议，况兼还会再将这些遐想经由中积存的专科常识和理念应用到元器件的遐想中。通过与ATX等时期实力丰足的OSAT合营，ROHM不仅大要跟上快速增长的GaN商场的要领，同期还能不停向商场推出融入ROHM上风的家具。改日，咱们将不竭通过提高GaN器件的性能，促进各式应用家具的袖珍化和限度普及，为丰富东谈主们的生存孝顺力量。” ＜什么是EcoGaN™＞ EcoGaN™是通过更猛进度地深远GaN的性能，助力应用家具进一步节能和袖珍化的ROHM GaN器件，该系列家具有助于应用家具进一步裁减功耗、完结外围元器件的袖珍化、减少遐想工时和元器件数目等。 ・EcoGaN™是ROHM Co.， Ltd.的商标或注册商标。 ＜家具声威＞ ＜应用示例＞ 适用于劳动器、AC适配器（USB充电器）、通讯基站电源、工业确立电源、PV逆变器、ESS（Energy Storage System / 储能系统）等输出功率500W～1kW级的庸俗电源系统。 ＜电商销售信息＞ 驱动销售时刻：2025年1月起 新家具在电商平台将渐渐发售。 ＜术语讲授＞ *1) GaN HEMT GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与平淡的半导体材料——Si（硅）比较，具有更优异的物感性能，当今，因其具有出色的高频特质，越来越多的应用驱动接受这种材料。 HEMT是High Electron Mobility Transistor（高电子移动率晶体管）的英文首字母缩写。 *2) RDS（ON）×Qoss 评估元器件性能的规画人妻熟女，Qoss是指从输出端看的漏极源极间的总电荷量。另外，RDS（ON）（导通电阻）是使MOSFET启动（导通）时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，运行时的损耗（电力损耗）越少。这两者相乘取得的值越低，开关使命限度越高，开关损耗越少。 |
