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twitter 巨臀 成皆氮矽科技苦求 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利,栽种器件的抗放射才智|栅极|欧姆|漏极|肖特基|gan

发布日期:2025-03-19 17:31    点击次数:113

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金融界 2024 年 12 月 19 日音信,国度学问产权局信息表露,成皆氮矽科技有限公司苦求一项名为“一种 N 面增强型 GaN 双向功率器件过火制备递次”的专利,公开号 CN 119133228 Atwitter 巨臀,苦求日历为 2024 年 9 月。

专利摘要表露,校园春色小说色情本苦求提供一种 N 面增强型 GaN 双向功率器件过火制备递次,包括衬底、AlN 成核层、缓冲层、C 掺杂 AlGaN 层、AlGaN 势垒层、GaN 沟谈层以及钝化层,栅极金属位于栅极区域并与 GaN 沟谈层伙同,第一漏极与第二漏极建筑于栅极区域的两侧,第一漏极包括第一肖特基构兵金属和与其伙同的第一欧姆构兵金属,第二漏极包括第二肖特基构兵金属和与其伙同的第二欧姆构兵金属;第一肖特基构兵金属与 AlGaN 势垒层伙同造成第肖特基构兵第欧姆构兵金属与 GaN 沟谈层伙同造成第一欧姆构兵,第二肖特基构兵金属与 AlGaN 势垒层伙同造成第二肖特基构兵,第二欧姆构兵金属与 GaN 沟谈层伙同造成第二欧姆构兵,以栽种器件的抗放射才智。

本文源自:金融界

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作家:谍报员twitter 巨臀



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